SI823H1BD-IS3R

ตัวขับเกตแบบแยก SI823H1BD-IS3R นำเสนอโซลูชันล้ำสมัยที่มีการแยกตัวสูงถึง 5 kVRMS, แรงดันไฟฟ้าส่วนต่างระหว่างตัวขับถึงตัวขับสูงสุด 150 VDC และการกำหนดค่าอเนกประสงค์ รวมถึงตัวแยกเดี่ยวหรือสองตัว ไดรเวอร์ในแพ็คเกจเดียว คุณสมบัติเด่น ได้แก่ ตัวเลือกด้านความปลอดภัยที่ได้รับการปรับปรุง ความสามารถในการส่งออกสูงที่ระดับสูงสุดของซิงก์/แหล่งกำเนิด 4.0 A และภูมิคุ้มกันแม่เหล็กไฟฟ้าที่แข็งแกร่ง ด้วยการหน่วงเวลาการแพร่กระจายสูงสุด 30 ns ที่รวดเร็ว ภูมิคุ้มกันชั่วคราวเกิน 125 kV/µs และเวลาตายที่ตั้งโปรแกรมได้ ตัวขับนี้จึงรับประกันการควบคุมและการป้องกันแรงดันไฟกระชากอย่างแม่นยำ การทำงานในช่วงอุณหภูมิกว้างตั้งแต่ –40 ถึง +125 องศา เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS มาในแพ็คเกจที่ผ่านการรับรอง AEC-Q100 และรองรับเอกสารประกอบที่ครอบคลุม ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงสภาพแวดล้อมในยานยนต์และอุตสาหกรรม .

• ระบบส่งกำลัง

• ระบบควบคุมมอเตอร์

• แหล่งจ่ายไฟ dc-dc แบบแยก

• ระบบควบคุมแสงสว่าง

• อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์และอุตสาหกรรม

• ที่ชาร์จในตัว

• ระบบการจัดการแบตเตอรี่

• สถานีชาร์จ

• อินเวอร์เตอร์ฉุดลาก

• รถยนต์ไฟฟ้าไฮบริด

• แบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า

Si823Hx รวมตัวขับเกตแบบแยกสองตัวไว้ในแพ็คเกจเดียวสำหรับการใช้งานพลังงานสูง Si823Hx มีอุปกรณ์ที่มีอินพุตควบคุมเดี่ยวหรือคู่พร้อมเอาต์พุตอิสระหรือด้านสูง/ด้านต่ำ ไดรเวอร์เหล่านี้สามารถทำงานได้กับอินพุต VDD 3.0 – 5.5 V และแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟสูงสุดของไดรฟ์ 30 V

Si823Hx เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการขับเคลื่อน MOSFET กำลังและ IGBT ที่ใช้ในแอปพลิเคชันควบคุมมอเตอร์และกำลังสวิตช์ที่หลากหลาย ไดรเวอร์เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการแยกซิลิคอนที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Skyworks ซึ่งรองรับสูงสุด 5 kVRMS สำหรับแรงดันไฟฟ้าแยก 1 นาที เทคโนโลยีนี้ช่วยให้ CMTI สูง (125 kV/µs) ลดความล่าช้าในการแพร่กระจายและความเบ้ การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยตามอุณหภูมิและอายุ และการจับคู่ระหว่างชิ้นส่วนต่ำ

สถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์ของระยะเอาท์พุตมีอุปกรณ์บูสเตอร์ที่ให้ความสามารถในการดึงที่สูงขึ้นที่บริเวณที่ราบสูง Miller ของสวิตช์กำลังโหลดเพื่อรองรับเวลาเปิดเครื่องที่เร็วขึ้น ไดรเวอร์ตระกูลนี้ยังนำเสนอคุณสมบัติพิเศษบางอย่าง เช่น การป้องกันอุณหภูมิเกิน การตรวจจับข้อผิดพลาดการล็อคแรงดันไฟฟ้าตก (UVLO) เอาท์พุต ความสามารถในการตั้งโปรแกรมเวลาตาย และไดรเวอร์ที่ปลอดภัยเมื่อเกิดข้อผิดพลาด โดยมีค่าเริ่มต้นต่ำในกรณีที่สูญเสียพลังงานด้านอินพุต ตระกูล Si823Hx มีอายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้นและมีความน่าเชื่อถือสูงกว่าอย่างมากเมื่อเทียบกับตัวขับเกตแบบออปโตคัปเปิ้ล

เกรดยานยนต์สามารถใช้ได้ ผลิตภัณฑ์เหล่านี้สร้างขึ้นโดยใช้กระแสเฉพาะของยานยนต์ในทุกขั้นตอนในกระบวนการผลิต เพื่อให้มั่นใจถึงความทนทานและข้อบกพร่องต่ำที่จำเป็นสำหรับการใช้งานในยานยนต์

ป้ายกำกับยอดนิยม: si823h1bd-is3r ผู้ผลิตจีน si823h1bd-is3r ซัพพลายเออร์