NCV57256DR2G

NCV57256DR2G นำเสนอความสามารถด้านกระแสเอาต์พุตสูงสุดที่ยอดเยี่ยม ความสามารถในการกำหนดค่าสำหรับการทำงานของไดรเวอร์ด้านต่ำ ด้านสูง หรือฮาล์ฟบริดจ์ และการเหลื่อมซ้อนหรือการควบคุมเวลาตายที่ตั้งโปรแกรมได้เพื่อการสลับที่แม่นยำ การตั้งค่าฮาล์ฟบริดจ์ที่ง่ายขึ้นพร้อมพินปิดการใช้งานสำหรับการจัดลำดับพลังงานและฟังก์ชัน ANB สำหรับการจัดลำดับพลังงาน เพิ่มการควบคุมระบบและความปลอดภัย นอกจากนี้ ยังมีการหนีบเกท IGBT/MOSFET ในระหว่างไฟฟ้าลัดวงจร เพื่อให้มั่นใจในการปกป้องอุปกรณ์ ไดรเวอร์มีความล่าช้าในการแพร่กระจายสั้น เกณฑ์ UVLO ที่จำกัด และการแยกกระแสไฟฟ้าที่แข็งแกร่ง ทำให้เหมาะสำหรับใช้กับ NCV57256DR2G เป็นไปตามมาตรฐาน AEC-Q100 สำหรับการใช้งานในยานยนต์ และเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS โดยรวมแล้ว NCV57256DR2G ผสมผสานกำลังและความแม่นยำเข้าด้วยกัน ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งานระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังที่หลากหลาย

• ที่ชาร์จ EV

• การควบคุมมอเตอร์

• เครื่องสำรองไฟ (UPS)

• พาวเวอร์ซัพพลายอุตสาหกรรม

• อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

• การใช้งานด้านยานยนต์

NCx5725y เป็นไดรเวอร์เกท IGBT/MOSFET แบบแยกกระแสสูงสองช่องสัญญาณที่มีการแยกกระแสไฟฟ้าภายใน 2.5 หรือ 5 kVrms* จากอินพุตไปยังแต่ละเอาต์พุต และการแยกการทำงานระหว่างช่องเอาต์พุตสองช่อง อุปกรณ์ยอมรับแรงดันไบแอสและระดับสัญญาณ 3.3 V ถึง 20 V ที่ฝั่งอินพุต และแรงดันไบแอสสูงสุด 32 V ที่ฝั่งเอาต์พุต อุปกรณ์รับอินพุตเสริมและมีพินแยกต่างหากสำหรับการควบคุมการปิดและปิดเวลาเพื่อความสะดวกในการออกแบบระบบ ไดรเวอร์มีจำหน่ายในแพ็คเกจ SOIC−16 ตัวกว้าง และ SOIC−16 ตัวแคบ

ป้ายกำกับยอดนิยม: ncv57256dr2g ผู้ผลิตจีน ncv57256dr2g ซัพพลายเออร์