SI823H1CB-IS1R

ตัวขับประตูแยก SI823H1CB-IS1R เป็นโซลูชันประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

ส่งคำถาม

คำอธิบาย

พารามิเตอร์ทางเทคนิค

SI823H1CB-IS1R นำเสนอคุณสมบัติต่างๆ เช่น การแยกสัญญาณสูง (สูงสุด 5 kVRMS) ตัวเลือกด้านความปลอดภัยที่ได้รับการปรับปรุง กระแสเอาต์พุตสูง (4.0 A) ความล่าช้าในการแพร่กระจายที่รวดเร็ว (สูงสุด 30 ns) และภูมิคุ้มกันแม่เหล็กไฟฟ้าและภาวะชั่วคราวที่แข็งแกร่ง . มีฟังก์ชันเวลาตายที่ตั้งโปรแกรมได้และฟังก์ชันกรองสัญญาณรบกวนเพื่อให้มั่นใจถึงการควบคุมที่แม่นยำและเชื่อถือได้ ทำงานในช่วงอุณหภูมิที่กว้างและมาในบรรจุภัณฑ์ที่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS หลากหลาย รวมถึงตัวเลือกเกรดยานยนต์ ทำให้มีความหลากหลายและเชื่อถือได้ การใช้งานต่างๆ ได้แก่ ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม ระบบพลังงานหมุนเวียน อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์ มอเตอร์ไดรฟ์ อินเวอร์เตอร์กำลัง แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง และเครื่องชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า SI823H1CB-IS1R เหมาะอย่างยิ่งสำหรับผู้ที่กำลังมองหาตัวขับเกตแบบแยกที่ทรงพลังและเชื่อถือได้

product-1269-1103

สินค้าที่เกี่ยวข้อง:

ห้างหุ้นส่วนจำกัด	SI823H1CB-AS1	SI823H1CB-AS1R	SI823H1CB-IS1	SI823H1CB-IS1R
คำอธิบาย	เครื่องบันทึกภาพ DGTL ISO GATE	เครื่องบันทึกภาพ DGTL ISO GATE	เครื่องบันทึกภาพ DGTL ISO GATE	เครื่องบันทึกภาพ DGTL ISO GATE
คลังสินค้า	30000	30000	30000	30000
สถานะสินค้า	คล่องแคล่ว	คล่องแคล่ว	คล่องแคล่ว	คล่องแคล่ว
เทคโนโลยี	คัปปลิ้งคัปปลิ้ง	คัปปลิ้งคัปปลิ้ง	คัปปลิ้งคัปปลิ้ง	คัปปลิ้งคัปปลิ้ง
จำนวนช่อง	2	2	2	2
การแยกแรงดันไฟฟ้า	2500V	2500V	2500V	2500Vrms
ภูมิคุ้มกันชั่วคราวโหมดทั่วไป (ขั้นต่ำ)	125kV/เรา	125kV/เรา	125kV/เรา	125kV/เรา
ความล่าช้าในการขยายพันธุ์ tpLH / tpHL (สูงสุด)	30น., 58น	30น., 58น	30น., 58น	30น., 58น
ปัจจุบัน - เอาท์พุตสูง, ต่ำ	4A, 4A	4A, 4A	4A, 4A	4A, 4A
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	12V ~ 30V	12V ~ 30V	12V ~ 30V	12V ~ 30V
อุณหภูมิในการทำงาน	-40-C ~ 125-C	-40-C ~ 125-C	-40-C ~ 125-C	-40-C ~ 125-C
แพ็คเกจ/กล่อง	สบส.16	สบส.16	สบส.16	สบส.16
บรรจุุภัณฑ์	เทปและรีล (TR)	เทปและรีล (TR)	เทปและรีล (TR)	เทปและรีล (TR)

การใช้งานทางอุตสาหกรรม:

• ระบบส่งกำลัง

• ระบบควบคุมมอเตอร์

• แหล่งจ่ายไฟ dc-dc แบบแยก

• ระบบควบคุมแสงสว่าง

• อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์และอุตสาหกรรม

การใช้งานด้านยานยนต์:

• ที่ชาร์จในตัว

• ระบบการจัดการแบตเตอรี่

• สถานีชาร์จ

• อินเวอร์เตอร์ฉุดลาก

• รถยนต์ไฟฟ้าไฮบริด

• แบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า

คำอธิบายทั่วไป:

Si823Hx รวมตัวขับเกตแบบแยกสองตัวไว้ในแพ็คเกจเดียวสำหรับการใช้งานพลังงานสูง Si823Hx มีอุปกรณ์ที่มีอินพุตควบคุมเดี่ยวหรือคู่พร้อมเอาต์พุตอิสระหรือด้านสูง/ด้านต่ำ ไดรเวอร์เหล่านี้สามารถทำงานได้กับอินพุต VDD 3.0 – 5.5 V และแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟสูงสุดของไดรฟ์ 30 V

Si823Hx เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการขับเคลื่อน MOSFET กำลังและ IGBT ที่ใช้ในแอปพลิเคชันควบคุมมอเตอร์และกำลังสวิตช์ที่หลากหลาย ไดรเวอร์เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการแยกซิลิคอนที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Skyworks ซึ่งรองรับสูงสุด 5 kVRMS สำหรับแรงดันไฟฟ้าแยก 1 นาที เทคโนโลยีนี้ช่วยให้ CMTI สูง (125 kV/µs) ลดความล่าช้าในการแพร่กระจายและความเบ้ การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยตามอุณหภูมิและอายุ และการจับคู่ระหว่างชิ้นส่วนต่ำ

สถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์ของระยะเอาท์พุตมีอุปกรณ์บูสเตอร์ที่ให้ความสามารถในการดึงที่สูงขึ้นที่บริเวณที่ราบสูง Miller ของสวิตช์กำลังโหลดเพื่อรองรับเวลาเปิดเครื่องที่เร็วขึ้น ไดรเวอร์ตระกูลนี้ยังนำเสนอคุณสมบัติพิเศษบางอย่าง เช่น การป้องกันอุณหภูมิเกิน การตรวจจับข้อผิดพลาดการล็อคแรงดันไฟฟ้าตก (UVLO) เอาท์พุต ความสามารถในการตั้งโปรแกรมเวลาตาย และไดรเวอร์ที่ปลอดภัยเมื่อเกิดข้อผิดพลาด โดยมีค่าเริ่มต้นต่ำในกรณีที่สูญเสียพลังงานด้านอินพุต ตระกูล Si823Hx มีอายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้นและมีความน่าเชื่อถือสูงกว่าอย่างมากเมื่อเทียบกับตัวขับเกตแบบออปโตคัปเปิ้ล

เกรดยานยนต์สามารถใช้ได้ ผลิตภัณฑ์เหล่านี้สร้างขึ้นโดยใช้กระแสเฉพาะของยานยนต์ในทุกขั้นตอนในกระบวนการผลิต เพื่อให้มั่นใจถึงความทนทานและข้อบกพร่องต่ำที่จำเป็นสำหรับการใช้งานในยานยนต์

ป้ายกำกับยอดนิยม: si823h1cb-is1r ผู้ผลิตจีน si823h1cb-is1r ซัพพลายเออร์

คู่ของ

SI823H1CD-IS3R

SI823H1BB-IS1R

ส่งคำถาม